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杂志分类 > 工业技术 > 无线电电子学、电信技术 > 微电子学 > 一种具有高电源抑制比的低功耗CMOS带隙基准电压源

一种具有高电源抑制比的低功耗CMOS带隙基准电压源

作者:汪宁 魏同立 来源：工业技术 / 无线电电子学、电信技术收藏本文章
文章设计了一种适用于CMOS工艺的带隙基准电压源电路，该电路采用工作在亚阈值区的电路结构，并采用高增益反馈回路，使其具有低功耗、低电压、高电源电压抑制比和较低温度系数等特点。 (共4页)
关键词：CMOS,带隙基准电压源,亚阈值,低功耗,低电压,电源抑制比
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